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Référence fabricant | IRF2804STRR7PP |
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Numéro de pièce future | FT-IRF2804STRR7PP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF2804STRR7PP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 160A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6930pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 330W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2804STRR7PP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF2804STRR7PP-FT |
PMN45EN,135
Nexperia USA Inc.
PMN45EN,165
NXP USA Inc.
PMN48XP,115
Nexperia USA Inc.
PMN48XP,125
Nexperia USA Inc.
PMN48XPAX
Nexperia USA Inc.
PMN49EN,135
NXP USA Inc.
PMN49EN,165
NXP USA Inc.
PMN50EPEX
Nexperia USA Inc.
PMN50UPE,115
Nexperia USA Inc.
PMN50XP,165
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel