maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / TK4R3A06PL,S4X
Référence fabricant | TK4R3A06PL,S4X |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TK4R3A06PL,S4X |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | U-MOSIX-H |
TK4R3A06PL,S4X Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 68A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 36W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220SIS |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK4R3A06PL,S4X Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TK4R3A06PL,S4X-FT |
TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2P60D(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P03M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40P04M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK4P55D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel