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Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60W5,LVQ

Name: TK31V60W5,LVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60W5,LVQ
Price: 1.5736 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (111 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK31V60W5,LVQ

quantité disponible: 43040 Pièces

Prix de référence: USD 1.5736

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSIV MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK31V60W5,LVQ.pdf

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TK31V60W5,LVQ Caractéristiques

Référence fabricant	TK31V60W5,LVQ
Numéro de pièce future	FT-TK31V60W5,LVQ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSIV
TK31V60W5,LVQ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	240W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	4-DFN-EP (8x8)
Paquet / caisse	4-VSFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31V60W5,LVQ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK31V60W5,LVQ-FT

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