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Toshiba Semiconductor and Storage TK60P03M1,RQ(S

Name: TK60P03M1,RQ(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK60P03M1,RQ(S
Price: 0.34832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (81 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK60P03M1,RQ(S

quantité disponible: 97870 Pièces

Prix de référence: USD 0.34832

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: U-MOSVI-H MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK60P03M1,RQ(S.pdf

TK60P03M1,RQ(S Caractéristiques

Référence fabricant	TK60P03M1,RQ(S
Numéro de pièce future	FT-TK60P03M1,RQ(S
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	U-MOSVI-H
TK60P03M1,RQ(S Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	63W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK60P03M1,RQ(S Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK60P03M1,RQ(S-FT

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