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Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D,S1X(S

Name: TK13E25D,S1X(S
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK13E25D,S1X(S
Price: 1.48 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (69 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK13E25D,S1X(S

quantité disponible: 63200 Pièces

Prix de référence: USD 1.48

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: - MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK13E25D,S1X(S.pdf

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TK13E25D,S1X(S Caractéristiques

Référence fabricant	TK13E25D,S1X(S
Numéro de pièce future	FT-TK13E25D,S1X(S
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
TK13E25D,S1X(S Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	13A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	102W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK13E25D,S1X(S Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK13E25D,S1X(S-FT

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