maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NDF11N50ZG
Référence fabricant | NDF11N50ZG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NDF11N50ZG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NDF11N50ZG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1645pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 39W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDF11N50ZG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NDF11N50ZG-FT |
IRFI540G
Vishay Siliconix
IRFI610G
Vishay Siliconix
IRFI614G
Vishay Siliconix
IRFI620
Vishay Siliconix
IRFI620G
Vishay Siliconix
IRFI624G
Vishay Siliconix
IRFI624GPBF
Vishay Siliconix
IRFI630G
Vishay Siliconix
IRFI634G
Vishay Siliconix
IRFI640G
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel