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Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60U(F)

Name: TK12J60U(F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK12J60U(F)
Price: 3.272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (769 reviews)

Numéro de pièce MFG: TK12J60U(F)

quantité disponible: 78630 Pièces

Prix de référence: USD 3.272

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: DTMOSII MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: TK12J60U(F).pdf

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TK12J60U(F) Caractéristiques

Référence fabricant	TK12J60U(F)
Numéro de pièce future	FT-TK12J60U(F)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	DTMOSII
TK12J60U(F) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	144W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3P(N)
Paquet / caisse	TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK12J60U(F) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	TK12J60U(F)-FT

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