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Référence fabricant | HAT2131R-EL-E |
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Numéro de pièce future | FT-HAT2131R-EL-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HAT2131R-EL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 350V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 450mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2131R-EL-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HAT2131R-EL-E-FT |
2SK3430-AZ
Renesas Electronics America
2SK3430-Z-E1-AZ
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Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
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LFEC15E-5F484C
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EP1SGX40GF1020I6
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