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Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E
- Numéro de pièce MFG
- TK10J80E,S1E
- quantité disponible
- 44620 Pièces
- Prix de référence
- USD 1.98912
- Notre prix
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- Date d'expédition
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- fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Brève description
- π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO-3PN
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- TK10J80E,S1E.pdf
TK10J80E,S1E Caractéristiques
| Référence fabricant | TK10J80E,S1E |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-TK10J80E,S1E |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | π-MOSVIII |
| TK10J80E,S1E Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-3P(N) |
| Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| TK10J80E,S1E Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | TK10J80E,S1E-FT |
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