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Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W,S1VQ

Numéro de pièce MFG
TK31J60W,S1VQ
quantité disponible
99050 Pièces
Prix de référence
USD 6.76
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
DTMOSIV MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3PN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
TK31J60W,S1VQ.pdf
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TK31J60W,S1VQ Caractéristiques

Référence fabricant TK31J60W,S1VQ
Numéro de pièce future FT-TK31J60W,S1VQ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries DTMOSIV
TK31J60W,S1VQ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Caractéristique FET Super Junction
Dissipation de puissance (max) 230W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-3P(N)
Paquet / caisse TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK31J60W,S1VQ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange TK31J60W,S1VQ-FT

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