maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Thyristors / THBT20011D
Référence fabricant | THBT20011D |
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Numéro de pièce future | FT-THBT20011D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | THBT, TRISIL™ |
THBT20011D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - basculement | 290V |
Tension - état d'arrêt | 200V |
Tension - On State | - |
Courant - Crête Pulse (8 / 20µs) | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 30A |
Courant - En attente (Ih) | 150mA |
Nombre d'éléments | 3 |
Capacitance | 80pF |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THBT20011D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | THBT20011D-FT |
TISP61089BGDR-S
Bourns Inc.
TISP61089SDR-S
Bourns Inc.
TISP61511DR-S
Bourns Inc.
TISP7015DR
Bourns Inc.
TISP7015DR-S
Bourns Inc.
TISP7072F3DR
Bourns Inc.
TISP7082F3DR
Bourns Inc.
TISP7125F3DR
Bourns Inc.
TISP7150F3DR
Bourns Inc.
TISP7180F3DR
Bourns Inc.
XC4020XL-2PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M25DCF484I6G
Intel
5SGXEBBR1H43I2N
Intel
XC3130A-3PC84C
Xilinx Inc.
A54SX08A-TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M132C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40HX8K-CM225
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780I7N
Intel