maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Thyristors / THBT15011DRL
Référence fabricant | THBT15011DRL |
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Numéro de pièce future | FT-THBT15011DRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | THBT, TRISIL™ |
THBT15011DRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - basculement | 210V |
Tension - état d'arrêt | 150V |
Tension - On State | - |
Courant - Crête Pulse (8 / 20µs) | - |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 30A |
Courant - En attente (Ih) | 150mA |
Nombre d'éléments | 3 |
Capacitance | 80pF |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
THBT15011DRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | THBT15011DRL-FT |
TISP3180F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3240F3DR
Bourns Inc.
TISP3240F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3260F3DR
Bourns Inc.
TISP3260F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3290F3DR
Bourns Inc.
TISP3290F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3320F3DR
Bourns Inc.
TISP3320F3DR-S
Bourns Inc.
TISP3380F3DR
Bourns Inc.
A54SX16A-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S200-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC2S400E-6FGG456C
Xilinx Inc.
A3PE3000L-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
APA450-FG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA7H2F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
LCMXO256E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QI208-2
Intel