maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / TCET1107G
Référence fabricant | TCET1107G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TCET1107G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TCET1107G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 80% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 160% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 6µs, 5µs |
Temps de montée / descente (type) | 3µs, 4.7µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.25V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TCET1107G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TCET1107G-FT |
TCMT1112
Vishay Semiconductor Opto Division
TCMT1114
Vishay Semiconductor Opto Division
TCMT1115
Vishay Semiconductor Opto Division
TLP281(GB-TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP283(TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP285(TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
ACNT-H50L-500E
Broadcom Limited
ACNT-H50L-000E
Broadcom Limited
5962-89785022A
Broadcom Limited
HCNW139-000E
Broadcom Limited
A54SX16P-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
5SGXEABN2F45C2LN
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel