maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / HCNW139-000E
Référence fabricant | HCNW139-000E |
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Numéro de pièce future | FT-HCNW139-000E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HCNW139-000E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 200% @ 12mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 11µs, 11µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 18V |
Courant - Sortie / Canal | 60mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.45V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 20mA |
Vce Saturation (Max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCNW139-000E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HCNW139-000E-FT |
EL3H7(J)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(J)-VG
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EL3H7(K)(EA)-G
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EL3H7(K)(EA)-VG
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EL3H7(K)(EB)-G
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EL3H7(K)(EB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(TA)-G
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EL3H7(K)(TA)-VG
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EL3H7(K)(TB)-G
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EL3H7(K)(TB)-VG
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XC6SLX25-2FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG900C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
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LFXP2-30E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I5ES
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EPF10K100EQC208-2
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5SGSMD4H3F35I3N
Intel