maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / HCNW139-000E
Référence fabricant | HCNW139-000E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HCNW139-000E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HCNW139-000E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 200% @ 12mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 11µs, 11µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Darlington with Base |
Tension - Sortie (Max) | 18V |
Courant - Sortie / Canal | 60mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.45V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 20mA |
Vce Saturation (Max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCNW139-000E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HCNW139-000E-FT |
EL3H7(J)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(J)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(EA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(EA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(EB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(EB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL3H7(K)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG900I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
A40MX04-3PL44I
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation