maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / TBAT54A,LM
Référence fabricant | TBAT54A,LM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-TBAT54A,LM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
TBAT54A,LM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 580mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 25V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TBAT54A,LM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | TBAT54A,LM-FT |
VT2060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT60M45CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
WNS20H100CQ
WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ
WeEn Semiconductors
WNS30H100CQ
WeEn Semiconductors
WNS40H100CQ
WeEn Semiconductors
UMP1NTR
Rohm Semiconductor
1SS308(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
UMN1NTR
Rohm Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel