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Référence fabricant | WNS20S100CQ |
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Numéro de pièce future | FT-WNS20S100CQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
WNS20S100CQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220E |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNS20S100CQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WNS20S100CQ-FT |
MBR30200FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3040CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3040FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation
LFECP6E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325
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A3PE1500-1FGG484
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AT40K20LV-3CQC
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Microchip Technology
5SGSED8N1F45C2L
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A3PE1500-FGG676I
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LFEC33E-4FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35C3NES
Intel