maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SUM90N08-7M6P-E3
Référence fabricant | SUM90N08-7M6P-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SUM90N08-7M6P-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SUM90N08-7M6P-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3528pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 150W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SUM90N08-7M6P-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SUM90N08-7M6P-E3-FT |
SUM70090E-GE3
Vishay Siliconix
SQM120P06-07L_GE3
Vishay Siliconix
SUM65N20-30-E3
Vishay Siliconix
SQM110N05-06L_GE3
Vishay Siliconix
SQM120N02-1M3L_GE3
Vishay Siliconix
SQM35N30-97_GE3
Vishay Siliconix
SQM40031EL_GE3
Vishay Siliconix
SQM47N10-24L_GE3
Vishay Siliconix
SQM50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix
SUM90N03-2M2P-E3
Vishay Siliconix
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel