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Vishay Siliconix SQM110N05-06L_GE3

Numéro de pièce MFG
SQM110N05-06L_GE3
quantité disponible
78010 Pièces
Prix de référence
USD 1.32
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SQM110N05-06L_GE3.pdf
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SQM110N05-06L_GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SQM110N05-06L_GE3
Numéro de pièce future FT-SQM110N05-06L_GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SQM110N05-06L_GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4440pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 157W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263 (D2Pak)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQM110N05-06L_GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SQM110N05-06L_GE3-FT

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