maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI7856ADP-T1-E3
Référence fabricant | SI7856ADP-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI7856ADP-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7856ADP-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7856ADP-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7856ADP-T1-E3-FT |
SI7156DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7160DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7160DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7170DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7172ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SI7186DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7186DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7190ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SI7192DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7194DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel