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Vishay Siliconix SUD35N05-26L-E3

Numéro de pièce MFG
SUD35N05-26L-E3
quantité disponible
29560 Pièces
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET N-CH 55V 35A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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SUD35N05-26L-E3 Caractéristiques

Référence fabricant SUD35N05-26L-E3
Numéro de pièce future FT-SUD35N05-26L-E3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SUD35N05-26L-E3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 885pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SUD35N05-26L-E3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SUD35N05-26L-E3-FT

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