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Vishay Siliconix SI8810EDB-T2-E1

Numéro de pièce MFG
SI8810EDB-T2-E1
quantité disponible
72170 Pièces
Prix de référence
USD 0.11616
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SI8810EDB-T2-E1.pdf
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SI8810EDB-T2-E1 Caractéristiques

Référence fabricant SI8810EDB-T2-E1
Numéro de pièce future FT-SI8810EDB-T2-E1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SI8810EDB-T2-E1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 245pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 4-Microfoot
Paquet / caisse 4-XFBGA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8810EDB-T2-E1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI8810EDB-T2-E1-FT

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