maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STW9N150
Référence fabricant | STW9N150 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STW9N150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerMESH™ |
STW9N150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 89.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3255pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 320W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW9N150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STW9N150-FT |
STI6N80K5
STMicroelectronics
STI6N95K5
STMicroelectronics
STI22NM60N
STMicroelectronics
STI4N62K3
STMicroelectronics
STB7NK80Z-1
STMicroelectronics
STI24NM60N
STMicroelectronics
STB10NK60Z-1
STMicroelectronics
STB11NM60-1
STMicroelectronics
STB11NM60N-1
STMicroelectronics
STB12NM60N-1
STMicroelectronics
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel