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STMicroelectronics STB11NM60N-1

Name: STB11NM60N-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB11NM60N-1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (535 reviews)

Numéro de pièce MFG: STB11NM60N-1

quantité disponible: 25140 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STB11NM60N-1.pdf

STB11NM60N-1 Caractéristiques

Référence fabricant	STB11NM60N-1
Numéro de pièce future	FT-STB11NM60N-1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ II
STB11NM60N-1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	90W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB11NM60N-1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STB11NM60N-1-FT

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