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STMicroelectronics STW62N65M5

Name: STW62N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW62N65M5
Price: 13.408 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (497 reviews)

Numéro de pièce MFG: STW62N65M5

quantité disponible: 21710 Pièces

Prix de référence: USD 13.408

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V MOSFET N-CH 650V TO-247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STW62N65M5.pdf

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STW62N65M5 Caractéristiques

Référence fabricant	STW62N65M5
Numéro de pièce future	FT-STW62N65M5
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V
STW62N65M5 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	49 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	142nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6420pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	330W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW62N65M5 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STW62N65M5-FT

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