maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STB25NM50N-1
Référence fabricant | STB25NM50N-1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STB25NM50N-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II |
STB25NM50N-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB25NM50N-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STB25NM50N-1-FT |
CSD19535KTTT
Texas Instruments
CSD19536KTT
Texas Instruments
CSD19506KTTT
Texas Instruments
CSD19535KTT
Texas Instruments
CSD18510KTT
Texas Instruments
CSD18535KTT
Texas Instruments
CSD19505KTTT
Texas Instruments
CSD19506KTT
Texas Instruments
TPS1101D
Texas Instruments
TPS1100D
Texas Instruments
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel