maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STW60N65M5
Référence fabricant | STW60N65M5 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STW60N65M5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ V |
STW60N65M5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 46A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6810pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 255W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STW60N65M5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STW60N65M5-FT |
STB200NF04-1
STMicroelectronics
STB200NF04L-1
STMicroelectronics
STB20NM50-1
STMicroelectronics
STB20NM60-1
STMicroelectronics
STB21NM60N-1
STMicroelectronics
STB25NM50N-1
STMicroelectronics
STB25NM60N-1
STMicroelectronics
STB5NK50Z-1
STMicroelectronics
STB6NK60Z-1
STMicroelectronics
STB70NF03L-1
STMicroelectronics
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel