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STMicroelectronics STW58N65DM2AG

Name: STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW58N65DM2AG
Price: 9.464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (231 reviews)

Numéro de pièce MFG: STW58N65DM2AG

quantité disponible: 40990 Pièces

Prix de référence: USD 9.464

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 650V 48A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STW58N65DM2AG.pdf

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STW58N65DM2AG Caractéristiques

Référence fabricant	STW58N65DM2AG
Numéro de pièce future	FT-STW58N65DM2AG
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
STW58N65DM2AG Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	360W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STW58N65DM2AG Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STW58N65DM2AG-FT

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