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Référence fabricant | STU3N80K5 |
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Numéro de pièce future | FT-STU3N80K5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH5™ |
STU3N80K5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | 30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 60W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STU3N80K5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STU3N80K5-FT |
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A1020B-2PQ100C
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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LFE3-70E-8FN484I
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EP20K600EBC652-1X
Intel