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Référence fabricant | STB5N62K3 |
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Numéro de pièce future | FT-STB5N62K3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH3™ |
STB5N62K3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 620V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 2.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STB5N62K3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STB5N62K3-FT |
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A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
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LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel