maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / STS8DN3LLH5
Référence fabricant | STS8DN3LLH5 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STS8DN3LLH5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | STripFET™ V |
STS8DN3LLH5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 724pF @ 25V |
Puissance - Max | 2.7W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STS8DN3LLH5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STS8DN3LLH5-FT |
SSM6N68NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6L61NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N67NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P47NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6P49NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N55NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6N58NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8221-H,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8223-H,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8407,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
XA3S250E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
EP20K100ETC144-3
Intel
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-2PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EP1C6Q240C8
Intel
EP20K100EQC240-1X
Intel