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STMicroelectronics STS4DNFS30L

Numéro de pièce MFG
STS4DNFS30L
quantité disponible
80740 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
STripFET™ MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STS4DNFS30L.pdf
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STS4DNFS30L Caractéristiques

Référence fabricant STS4DNFS30L
Numéro de pièce future FT-STS4DNFS30L
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries STripFET™
STS4DNFS30L Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 2W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STS4DNFS30L Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STS4DNFS30L-FT

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