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STMicroelectronics STP35N60DM2

Numéro de pièce MFG
STP35N60DM2
quantité disponible
54650 Pièces
Prix de référence
USD 4.312
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MDmesh™ DM2 MOSFET N-CH 600V 28A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STP35N60DM2 Caractéristiques

Référence fabricant STP35N60DM2
Numéro de pièce future FT-STP35N60DM2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MDmesh™ DM2
STP35N60DM2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 210W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP35N60DM2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STP35N60DM2-FT

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