maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STP13NK50Z
Référence fabricant | STP13NK50Z |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STP13NK50Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH™ |
STP13NK50Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 6.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 140W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP13NK50Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STP13NK50Z-FT |
STP310N10F7
STMicroelectronics
STP315N10F7
STMicroelectronics
STP410N4F7AG
STMicroelectronics
STP52P3LLH6
STMicroelectronics
STP10N60M2
STMicroelectronics
STP11N65M2
STMicroelectronics
STP11N65M5
STMicroelectronics
STP11NM80
STMicroelectronics
STP12N120K5
STMicroelectronics
STP12N60M2
STMicroelectronics
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
10AX022E3F29I2LG
Intel
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C8
Intel