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STMicroelectronics STP11N65M2

Numéro de pièce MFG
STP11N65M2
quantité disponible
36070 Pièces
Prix de référence
USD 0.82824
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MDmesh™ II Plus MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STP11N65M2 Caractéristiques

Référence fabricant STP11N65M2
Numéro de pièce future FT-STP11N65M2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MDmesh™ II Plus
STP11N65M2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 85W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP11N65M2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STP11N65M2-FT

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