maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STP10P6F6
Référence fabricant | STP10P6F6 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STP10P6F6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DeepGATE™, STripFET™ VI |
STP10P6F6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 48V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP10P6F6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STP10P6F6-FT |
STQ1HN60K3-AP
STMicroelectronics
STQ2LN60K3-AP
STMicroelectronics
STQ3N45K3-AP
STMicroelectronics
STQ1HNK60R-AP
STMicroelectronics
STQ1NC45R-AP
STMicroelectronics
STQ3NK50ZR-AP
STMicroelectronics
STF16N60M6
STMicroelectronics
STP7NK40Z
STMicroelectronics
STP2NK100Z
STMicroelectronics
STP5N80K5
STMicroelectronics
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel