maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STP10NM50N
Référence fabricant | STP10NM50N |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STP10NM50N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II |
STP10NM50N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STP10NM50N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STP10NM50N-FT |
STP19NM50N
STMicroelectronics
STP210N75F6
STMicroelectronics
STP2N105K5
STMicroelectronics
STP10NM60ND
STMicroelectronics
STP11NM60FD
STMicroelectronics
STP20NM50FD
STMicroelectronics
STP20NM60FD
STMicroelectronics
STP34NM60ND
STMicroelectronics
STP110N10F7
STMicroelectronics
STP120N4F6
STMicroelectronics
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel