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STMicroelectronics STN1N20

Numéro de pièce MFG
STN1N20
quantité disponible
30250 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MESH OVERLAY™ MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STN1N20.pdf
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STN1N20 Caractéristiques

Référence fabricant STN1N20
Numéro de pièce future FT-STN1N20
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MESH OVERLAY™
STN1N20 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 206pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.9W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STN1N20 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STN1N20-FT

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