maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / FDT86102LZ
Référence fabricant | FDT86102LZ |
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Numéro de pièce future | FT-FDT86102LZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDT86102LZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223-4 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDT86102LZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDT86102LZ-FT |
FDMS5362L-F085
ON Semiconductor
FDMS9408-F085
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XR46000ESETR
MaxLinear, Inc.
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ICE40UL640-SWG16ITR50
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ICE40LP640-CM36
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LFXP2-8E-5FTN256C
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