maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STL45N10F7AG
Référence fabricant | STL45N10F7AG |
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Numéro de pièce future | FT-STL45N10F7AG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
STL45N10F7AG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 72W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerFlat™ (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STL45N10F7AG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STL45N10F7AG-FT |
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XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
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EP1SGX40GF1020I6
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