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STD60N55F3 Image

STMicroelectronics STD60N55F3

Numéro de pièce MFG
STD60N55F3
quantité disponible
99840 Pièces
Prix de référence
USD 0.88708
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
STripFET™ III MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
STD60N55F3.pdf
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STD60N55F3 Caractéristiques

Référence fabricant STD60N55F3
Numéro de pièce future FT-STD60N55F3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries STripFET™ III
STD60N55F3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD60N55F3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STD60N55F3-FT

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