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STMicroelectronics STD1HNC60T4

Name: STD1HNC60T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD1HNC60T4
Availability: InStock
Rating: 4.8 (244 reviews)

Numéro de pièce MFG: STD1HNC60T4

quantité disponible: 19370 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: PowerMESH™ II MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STD1HNC60T4.pdf

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STD1HNC60T4 Caractéristiques

Référence fabricant	STD1HNC60T4
Numéro de pièce future	FT-STD1HNC60T4
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	PowerMESH™ II
STD1HNC60T4 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	228pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD1HNC60T4 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STD1HNC60T4-FT

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