maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD15N50M2AG
Référence fabricant | STD15N50M2AG |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-STD15N50M2AG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ M2 |
STD15N50M2AG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 85W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD15N50M2AG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD15N50M2AG-FT |
STP30NM50N
STMicroelectronics
STP30NM60N
STMicroelectronics
STP30NM60ND
STMicroelectronics
STP35N65M5
STMicroelectronics
STP36NF06
STMicroelectronics
STP3HNK90Z
STMicroelectronics
STP3NB100
STMicroelectronics
STP3NK100Z
STMicroelectronics
STP40N20
STMicroelectronics
STP40NF03L
STMicroelectronics
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel