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STMicroelectronics STP30NM60ND

Numéro de pièce MFG
STP30NM60ND
quantité disponible
28890 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
FDmesh™ II MOSFET N-CH 600V 25A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STP30NM60ND Caractéristiques

Référence fabricant STP30NM60ND
Numéro de pièce future FT-STP30NM60ND
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FDmesh™ II
STP30NM60ND Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 190W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STP30NM60ND Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STP30NM60ND-FT

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