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Référence fabricant | STI14NM50N |
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Numéro de pièce future | FT-STI14NM50N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MDmesh™ II |
STI14NM50N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 816pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 90W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I2PAK (TO-262) |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STI14NM50N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STI14NM50N-FT |
DMN1054UCB4-7
Diodes Incorporated
CSD19537Q3
Texas Instruments
CSD17579Q3AT
Texas Instruments
CSD17581Q3AT
Texas Instruments
CSD17581Q3A
Texas Instruments
CSD17577Q3AT
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CSD17578Q3AT
Texas Instruments
CSD17579Q3A
Texas Instruments
CSD17551Q3A
Texas Instruments
CSD17578Q3A
Texas Instruments
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel