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Texas Instruments CSD17579Q3AT

Numéro de pièce MFG
CSD17579Q3AT
quantité disponible
54100 Pièces
Prix de référence
USD 0.32256
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD17579Q3AT Caractéristiques

Référence fabricant CSD17579Q3AT
Numéro de pièce future FT-CSD17579Q3AT
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD17579Q3AT Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 998pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-VSONP (3x3.15)
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD17579Q3AT Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD17579Q3AT-FT

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