maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / STGW35NB60SD
Référence fabricant | STGW35NB60SD |
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Numéro de pièce future | FT-STGW35NB60SD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerMESH™ |
STGW35NB60SD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 250A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
Puissance - Max | 200W |
Énergie de commutation | 840µJ (on), 7.4mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 83nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 92ns/1.1µs |
Condition de test | 480V, 20A, 100 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 44ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STGW35NB60SD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STGW35NB60SD-FT |
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