maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / STD4NK60Z-1
Référence fabricant | STD4NK60Z-1 |
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Numéro de pièce future | FT-STD4NK60Z-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SuperMESH™ |
STD4NK60Z-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD4NK60Z-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STD4NK60Z-1-FT |
STB32NM50N
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STB33N60DM2
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Xilinx Inc.
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LFX125EB-03F256I
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LFEC33E-3FN484C
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