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STMicroelectronics STB33N60M2

Name: STB33N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB33N60M2
Price: 1.9376 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (90 reviews)

Numéro de pièce MFG: STB33N60M2

quantité disponible: 43860 Pièces

Prix de référence: USD 1.9376

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: MDmesh™ II Plus MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STB33N60M2.pdf

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STB33N60M2 Caractéristiques

Référence fabricant	STB33N60M2
Numéro de pièce future	FT-STB33N60M2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	MDmesh™ II Plus
STB33N60M2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1781pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	190W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STB33N60M2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STB33N60M2-FT

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