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STMicroelectronics STE110NS20FD

Numéro de pièce MFG
STE110NS20FD
quantité disponible
37730 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
STMicroelectronics
Brève description
MESH OVERLAY™ MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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STE110NS20FD Caractéristiques

Référence fabricant STE110NS20FD
Numéro de pièce future FT-STE110NS20FD
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries MESH OVERLAY™
STE110NS20FD Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 504nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur ISOTOP®
Paquet / caisse ISOTOP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STE110NS20FD Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange STE110NS20FD-FT

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