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STMicroelectronics STD2HNK60Z-1

Name: STD2HNK60Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD2HNK60Z-1
Price: 1.096 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (524 reviews)

Numéro de pièce MFG: STD2HNK60Z-1

quantité disponible: 58120 Pièces

Prix de référence: USD 1.096

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: STMicroelectronics

Brève description: SuperMESH™ MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: STD2HNK60Z-1.pdf

STD2HNK60Z-1 Caractéristiques

Référence fabricant	STD2HNK60Z-1
Numéro de pièce future	FT-STD2HNK60Z-1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SuperMESH™
STD2HNK60Z-1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I-PAK
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
STD2HNK60Z-1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	STD2HNK60Z-1-FT

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